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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-59 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.87 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.136 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 95 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 6000 ns | 最大开启时间（吨）： | 300 ns |
| VCEsat-Max： | 0.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FA1F4N-T1B | RENESAS |
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100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
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| FA1F4N-T1B | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
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| FA1F4N-T2B | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
|
| FA1F4N-T2B | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
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| FA1F4Z | NEC |
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MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD |
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| FA1F4ZL64 | NEC |
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TRANSISTOR | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
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| FA1F4ZL64-L | RENESAS |
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FA1F4ZL64-L |
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| FA1F4ZL64-T1B | RENESAS |
获取价格 |
FA1F4ZL64-T1B |
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| FA1F4ZL64-T2B | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
|
| FA1F4ZL65 | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
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