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ELM34409AA-N

更新时间： 2024-11-22 11:46:07

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描述
Single P-channel MOSFET

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ELM34409AA-N 数据手册

Single P-channel MOSFET

ELM34409AA-N

■General description

■Features

ELM34409AA-N uses advanced trench technology to

provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate

resistance.

• Vds=-30V

• Id=-9A

• Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V)

• Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-4.5V)

■Maximum absolute ratings

Parameter

Symbol

Limit

-30

Unit

Note

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Vds

Vgs

Ta=25°C

Ta=70°C

-9

-7

Continuous drain current

Pulsed drain current

Avalanche current

Avalanche energy

Idm

Ias

-50

-26

L=0.1mH

Ta=25°C

Ta=70°C

Eas

2.5

Power dissipation

1.6

Junction and storage temperature range

Tj, Tstg

-55 to 150

°C

■Thermal characteristics

Parameter

Maximum junction-to-case

Symbol

Rθjc

Typ.

Max.

Unit

Note

°C/W

Maximum junction-to-ambient

Rθja

■Pin configuration

■Circuit

SOP-8(TOP VIEW)

Pin No.

Pin name

SOURCE

GATE

DRAIN

4 - 1

12 3 4

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