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EK12V3

更新时间： 2024-10-29 14:49:43

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三垦 - SANKEN		二极管
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1页	19K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon,

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EK12V3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL FLAMMABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	60 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.1 µs
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

EK12V3 数据手册

Schottky Barrier Diodes 20V

Electrical Characteristics (Ta =25°C)

Absolute Maximum Ratings

Others

Mass

Parameter

I_FSM

(A)

50Hz

Half-cycle Sinewave

Single Shot

Tstg

V_F

(V)

I_R

(mA)

I_R

(mA)

(H)

(ns)

Rth (j-

)

(°C)

V_RM

(V)

I_{F (AV)}

(A)

Fig.

Type No.

V_R=VRM

max

V_R=VRM

I_F

(A)

I_F

(mA)

/I_RP

max

0.47

(°C/ W)

20.0

17.0

8.0

(g)

0.3

1.2

100°C max

EK 02

EK 12

RK 42

1.0

2.0

3.0

1.0

2.0

3.0

0.25

0.5

100/100

500/500

–40 to +150

100

1.00

Under development

EK 02

EK 12

RK 42

V_R=20V

V_F—I_FCharacteristics (Typical)

V_R—I_RCharacteristics (Typical)

I_FMSRating

I_F(AV)—T Characteristics

100

125ºC

Sinewave

20ms

100ºC

D.C.

t / T 1/2

60ºC

27ºC

0.1

t / T 1/ 3

0.1

125ºC

100ºC

60ºC

t / T 1/6

0.01

27ºC

0.005

0.001

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

Forward Voltage V_F(V)

105

110

115

120

125

(°C)

130

Lead Temperature

Reverse Voltage V_R(V)

Overcurrent Cycles

External Dimensions

Fig.

(Unit: mm)

1.4 ^±0.1

0.6^±0.05

0.78 ^±0.05

Flammability:

UL94V-0 or Equivalent

Cathode Mark

2.7^±0.2

2.7 ^±0.2

6.5 ^±0.2

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