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EK12W

更新时间： 2024-10-29 15:31:35
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 19K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon,

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EK12W 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
其他特性：UL FLAMMABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.1 µs表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

EK12W 数据手册

  
Schottky Barrier Diodes 20V  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Mass  
Parameter  
IFSM  
(A)  
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Tj  
Tstg  
VF  
(V)  
IR  
(mA)  
IR  
(mA)  
t
(H)  
rr  
(ns)  
Rth (j-  
)
(°C)  
(°C)  
VRM  
(V)  
IF (AV)  
(A)  
Fig.  
Type No.  
VR =VRM  
max  
VR =VRM  
IF  
(A)  
IF  
(mA)  
/IRP  
max  
0.47  
(°C/ W)  
20.0  
17.0  
8.0  
(g)  
0.3  
0.3  
1.2  
Ta  
=
100°C max  
A
B
C
EK 02  
EK 12  
RK 42  
1.0  
2.0  
3.0  
40  
60  
1.0  
2.0  
3.0  
0.25  
0.5  
10  
*
*
100/100  
500/500  
20  
–40 to +150  
20  
20  
100  
100  
1.00  
Under development  
*
EK 02  
EK 12  
RK 42  
VR=20V  
VF—IF Characteristics (Typical)  
VR—IR Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
IF(AV)—T Characteristics  
20  
10  
3
30  
10  
100  
80  
=
T
a
125ºC  
Sinewave  
20ms  
100ºC  
1
2
D.C.  
=
t / T 1/2  
1
60  
60ºC  
27ºC  
0.1  
=
t / T 1/ 3  
40  
20  
0
0.1  
1
0
=
a
=
T
125ºC  
100ºC  
60ºC  
t / T 1/6  
0.01  
0.01  
27ºC  
0.005  
0.001  
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7  
Forward Voltage VF (V)  
1
5
10  
50  
105  
110  
115  
120  
125  
(°C)  
130  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
Lead Temperature  
T
Reverse Voltage VR (V)  
Overcurrent Cycles  
External Dimensions  
Fig.  
A
Fig.  
Fig.  
C
B
(Unit: mm)  
1.4 ±0.1  
0.6±0.05  
0.78 ±0.05  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
2.7±0.2  
2.7 ±0.2  
6.5 ±0.2  
79  
1

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