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EGP50F/4E PDF预览

EGP50F/4E

更新时间： 2024-11-02 19:41:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
3页 186K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN

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EGP50F/4E 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.67
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：300 V
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EGP50F/4E 数据手册

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EGP50A thru EGP50G  
Vishay Semiconductors  
Glass Passivated Ultrafast Rectifier  
®
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
trr  
5.0 A  
50 V to 400 V  
150 A  
50 ns  
*
VF  
0.95 V, 1.25 V  
150 °C  
d
e
t
n
e
t
Tj max.  
a
P
*Glass Encapsulation  
GP20  
technique is covered by  
Patent No. 3,996,602,  
brazed-lead assembly to  
Patent No. 3,930,306  
Features  
Mechanical Data  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Ultrafast reverse recovery time  
• Low forward voltage drop  
Case: GP20, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
• Low leakage current  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Typical Applications  
For use in high frequency rectification and freewheel-  
ing application in switching mode converters and  
inverters for consumer, computer and Telecommuni-  
cation  
Maximum Ratings  
TA = 25 °C unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol EGP50A EGP50B EGP50C EGP50D EGP50F EGP50G  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
Maximum RMS voltage  
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5 mm) lead length at TL = 55 °C  
IF(AV)  
5
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
150  
A
Operating and storage temperature range  
TJ,TSTG  
- 65 to + 150  
°C  
Document Number 88585  
10-Aug-05  
www.vishay.com  
1
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与EGP50F/4E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EGP50F/4F VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
EGP50F/4H VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
EGP50F/51 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
EGP50F/56 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
EGP50F/74 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
EGP50F/90 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN
EGP50F/91 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GP20, 2 PIN

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