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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 90 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流： | 0.0009 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.095 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI8M8256C | ETC |
获取价格 |
TWO MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8256LP | ETC |
获取价格 |
TWO MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8256P | ETC |
获取价格 |
TWO MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8257C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED TWO MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8257C100C6B | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8M8257C100C6C | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8M8257C100P6C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED TWO MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8257C120C6B | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8M8257C120C6C | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8M8257C120P6C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED TWO MEGABIT SRAM MODULE |
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