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EDI8M8257C70C6B

更新时间: 2024-01-03 09:45:32
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 594K
描述
x8 SRAM Module

EDI8M8257C70C6B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T32
JESD-609代码:e0内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
端子数量:32字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.19 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

EDI8M8257C70C6B 数据手册

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