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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 150 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 最大待机电流： | 0.00085 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.11 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI8M8257LP85C6B | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8512C100C6B | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C100C6C | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C120C6B | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C120C6C | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C150C6B | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C150C6C | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C25C6B | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8512C30C6B | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE |
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