5秒后页面跳转
EDI8M8512LP150C6B PDF预览

EDI8M8512LP150C6B

更新时间: 2024-01-23 18:37:05
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 571K
描述
x8 SRAM Module

EDI8M8512LP150C6B 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最长访问时间:150 nsJESD-30 代码:R-XDMA-T32
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

EDI8M8512LP150C6B 数据手册

 浏览型号EDI8M8512LP150C6B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDI8M8512LP150C6B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDI8M8512LP150C6B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDI8M8512LP150C6B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDI8M8512LP150C6B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDI8M8512LP150C6B的Datasheet PDF文件第7页 

与EDI8M8512LP150C6B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDI8M8512LP150C6C ETC

获取价格

HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE
EDI8M8512LP25C6C ETC

获取价格

HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE
EDI8M8512LP30C6C ETC

获取价格

HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE
EDI8M8512LP35C6C ETC

获取价格

HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE
EDI8M8512LP45C6C ETC

获取价格

HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE
EDI8M8512LP55C6C ETC

获取价格

HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE
EDI8M8512LP70C6C ETC

获取价格

HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE
EDI8M8512LP85C6B ETC

获取价格

x8 SRAM Module
EDI8M8512LP85C6C ETC

获取价格

HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE
EDI8M8512P ETC

获取价格

HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE