生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | JESD-30 代码: | R-XDMA-T32 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | Not Qualified | 最小待机电流: | 2 V |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI8M8512LP150C6B | ETC |
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x8 SRAM Module | |
EDI8M8512LP150C6C | ETC |
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HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M8512LP25C6C | ETC |
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HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M8512LP30C6C | ETC |
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HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M8512LP35C6C | ETC |
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HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M8512LP45C6C | ETC |
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HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M8512LP55C6C | ETC |
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HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M8512LP70C6C | ETC |
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HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M8512LP85C6B | ETC |
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x8 SRAM Module | |
EDI8M8512LP85C6C | ETC |
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HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE |