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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.3 |
| 最长访问时间： | 85 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 256KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流： | 0.00085 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.11 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI8M8512C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8512C100C6B | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C100C6C | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C120C6B | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C120C6C | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C150C6B | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C150C6C | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C25C6B | ETC |
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HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8512C30C6B | ETC |
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HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8512C35C6B | ETC |
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x8 SRAM Module |
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