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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 100 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-T32 | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI8M8257LP120C6B | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8257LP150C6B | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8257LP85C6B | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8512C100C6B | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C100C6C | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C120C6B | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C120C6C | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C150C6B | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8M8512C150C6C | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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