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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 85 ns | JESD-30 代码： | R-XDMA-T32 |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 256KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI8M8257CLP100C6B | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED TWO MEGABIT SRAM MODULE |
|
| EDI8M8257CLP100P6C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED TWO MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8257CLP120C6B | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED TWO MEGABIT SRAM MODULE |
|
| EDI8M8257CLP120P6C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED TWO MEGABIT SRAM MODULE |
|
| EDI8M8257CLP150C6B | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED TWO MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8257CLP150P6C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED TWO MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8257CLP85C6B | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED TWO MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8257CLP85P6C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED TWO MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M8257LP100C6B | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8M8257LP120C6B | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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