是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 15 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J68 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 32 | 端子数量: | 68 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 512KX32 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC68,1.0SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.04 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.72 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI8LM32513V20AC | ETC |
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x32 SRAM | |
EDI8LM32513V20AI | ETC |
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x32 SRAM | |
EDI8LM32513V20AM | ETC |
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x32 SRAM | |
EDI8M11024C | ETC |
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HIGH SPEED MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M16256C45C9B | ETC |
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x16 SRAM Module | |
EDI8M16256C55C9B | ETC |
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x16 SRAM Module | |
EDI8M16256C70C9B | ETC |
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x16 SRAM Module | |
EDI8M16257C | ETC |
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HIGH SPEED FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M1664C | ETC |
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HIGH SPEED MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M1664LP | ETC |
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HIGH SPEED MEGABIT SRAM MODULE |