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EDI8M16256C70C9B

更新时间: 2024-01-04 23:37:41
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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7页 451K
描述
x16 SRAM Module

EDI8M16256C70C9B 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:70 ns
其他特性:CONFIGURABLE AS 256K X 16备用内存宽度:8
JESD-30 代码:R-XDMA-T48内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:48字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1MX4输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

EDI8M16256C70C9B 数据手册

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