是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 55 ns | 其他特性: | CONFIGURABLE AS 64K X 16 |
备用内存宽度: | 8 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-T40 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 40 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 256KX4 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP40,.9 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流: | 0.08 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.48 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI8M1665C70C9B | ETC |
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HIGH SPEED MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M32128C | ETC |
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HIGH PERFORMANCE FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M32128C20GB | ETC |
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HIGH PERFORMANCE FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M32128C20GC | ETC |
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HIGH PERFORMANCE FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M32128C25GB | ETC |
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HIGH PERFORMANCE FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M32128C25GC | ETC |
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HIGH PERFORMANCE FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M32128C35GB | ETC |
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HIGH PERFORMANCE FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M32128C35GC | ETC |
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HIGH PERFORMANCE FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M32128C45GB | ETC |
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HIGH PERFORMANCE FOUR MEGABIT SRAM MODULE | |
EDI8M32128C45GC | ETC |
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HIGH PERFORMANCE FOUR MEGABIT SRAM MODULE |