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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 25 ns |
| 其他特性： | CONFIGURABLE AS 256K X 32 | 备用内存宽度： | 16 |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-T60 | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 1MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI8M32256C30C6B | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| EDI8M32256C35C6B | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| EDI8M32256C45C6B | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| EDI8M32256C55C6B | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| EDI8M3264C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED TWO MEGABIT SRAM MODULE |
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| EDI8M3264C25C6B | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| EDI8M3264C35C6B | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| EDI8M3264C45C6B | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| EDI8M3264C55C6B | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
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| EDI8M4257C | ETC |
获取价格 |
HIGH SPEED MEGABIT SRAM MODULE |
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