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EDI8F82048C100BSC

更新时间: 2024-02-19 10:29:10
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其他 - ETC 静态存储器
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6页 294K
描述
x8 SRAM Module

EDI8F82048C100BSC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SIP-36Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XSMA-T36
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:36字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装等效代码:SIP36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.02 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.21 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EDI8F82048C100BSC 数据手册

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