5秒后页面跳转
EDI8F82048C70BSC PDF预览

EDI8F82048C70BSC

更新时间: 2024-02-12 23:17:04
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
6页 294K
描述
x8 SRAM Module

EDI8F82048C70BSC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SIP-36Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-T36内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:36
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装等效代码:SIP36封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.21 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

EDI8F82048C70BSC 数据手册

 浏览型号EDI8F82048C70BSC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDI8F82048C70BSC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDI8F82048C70BSC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDI8F82048C70BSC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDI8F82048C70BSC的Datasheet PDF文件第6页 

与EDI8F82048C70BSC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDI8F82048C85BSC ETC

获取价格

x8 SRAM Module
EDI8F82048C-BSC ETC

获取价格

SRAM Modules
EDI8F82048LP100BSC ETC

获取价格

x8 SRAM Module
EDI8F82048LP70BSC ETC

获取价格

x8 SRAM Module
EDI8F82048LP85BSC ETC

获取价格

x8 SRAM Module
EDI8F82049C-BSC ETC

获取价格

SRAM Modules
EDI8F8257C100B6C WEDC

获取价格

SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, DIP-32
EDI8F8257C100B6I WEDC

获取价格

SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, DIP-32
EDI8F8257C100BPC WEDC

获取价格

SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, SOIC-32
EDI8F8257C100BPI WEDC

获取价格

SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, SOIC-32