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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP-32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.79 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-T32 |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.39 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI8F8259C35M6I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8F8512C | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
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| EDI8F8512C100B6C | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
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| EDI8F8512C100B6I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
|
| EDI8F8512C100BSC | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
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| EDI8F8512C100BSI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8F8512C20M6C | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
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| EDI8F8512C20M6I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8F8512C25M6C | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
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| EDI8F8512C25M6I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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