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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP-32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.16 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-T32 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.04 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.57 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EDI8F8512C35M6C | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
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| EDI8F8512C35M6I | ETC |
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x8 SRAM Module |
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| EDI8F8512C55B6C | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
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| EDI8F8512C55B6I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8F8512C70B6C | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
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| EDI8F8512C70B6I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8F8512C70BSC | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
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| EDI8F8512C70BSI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| EDI8F8512C85B6C | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 STATIC RAM CMOS, MODULE |
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| EDI8F8512C85B6I | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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