是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | CERAMIC, DFP-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.13 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 17 ns |
其他特性: | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; LG-MAX | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F32 | 长度: | 21.2852 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL32,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 2.8448 mm | 最大待机电流: | 0.002 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.25 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.7442 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI88512LPA17F32C | ETC |
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x8 SRAM | |
EDI88512LPA17F32I | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, DFP-32 | |
EDI88512LPA17F32I | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, DFP-32 | |
EDI88512LPA17F32M | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, DFP-32 | |
EDI88512LPA17F32M | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, DFP-32 | |
EDI88512LPA17F36B | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 | |
EDI88512LPA17F36B | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 | |
EDI88512LPA17F36C | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 | |
EDI88512LPA17F36C | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 | |
EDI88512LPA17F36I | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 |