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EDI88130LPS20NI

更新时间： 2024-01-30 18:33:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 1086K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32

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EDI88130LPS20NI 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SOJ,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.59
最长访问时间：20 nsJESD-30 代码：R-CDSO-J32
长度：21.082 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.937 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：11.05 mmBase Number Matches：1

EDI88130LPS20NI 数据手册

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EDI88130CS  
128Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-89598  
FEATURES  
 Access Times of 15*, 17, 20, 25, 35, 45, 55ns  
An additional chip enable line provides system memory security  
during power down in non-battery backed up systems and memory  
banking in high speed battery backed systems where large multiple  
pages of memory are required.  
 Battery Back-up Operation  
• 2V Data Retention (EDI88130LPS)  
 CS1#, CS2 & OE# Functions for Bus Control  
 Inputs and Outputs Directly TTL Compatible  
 Organized as 128Kx8  
The EDI88130CS has eight bi-directional input-output lines to provide  
simultaneous access to all bits in a word.  
A low power version, EDI88130LPS, offers a 2V data retention  
function for battery back-up applications.  
 Commercial, Industrial and Military Temperature Ranges  
 Thru-hole and Surface Mount Packages JEDEC Pinout  
• 32 pin Sidebrazed Ceramic DIP, 400 mil (Package 102)  
• 32 pin Sidebrazed Ceramic DIP, 600 mil (Package 9)  
• 32 lead Ceramic SOJ (Package 140)  
Military product is available compliant to MIL-PRF-38535.  
* 15ns access time is advanced information, contact factory for availability.  
This product is subject to change without notice.  
• 32 pad Ceramic Quad LCC (Package 12)  
• 32 pad Ceramic LCC (Package 141)  
• 32 lead Ceramic Flatpack (Package 142)  
 Single +5V (±10%) Supply OperationThe EDI88130CS is  
a high speed, high performance, 128Kx8 bits monolithic  
Static RAM.  
FIGURE 1 – PIN CONFIGURATION  
32 DIP  
32 SOJ  
32 QUAD LCC  
TOP VIEW  
PIN DESCRIPTION  
32 CLCC  
I/O0-7  
A0-16  
WE#  
Data Input/Output  
Address Inputs  
Write Enable  
Chip Select  
32 FLATPACK  
CS1#, CS2  
OE#  
TOP VIEW  
4
3
2
1
32  
31 30  
Output Enable  
Power Supply  
Ground  
5
6
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
I/O0  
WE#  
A13  
A8  
VCC  
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 VCC  
31 A15  
30 CS2#  
29 WE#  
28 A13  
27 A8  
VSS  
7
8
NC  
Not Connected  
A9  
9
A11  
OE#  
A10  
CS1#  
I/O7  
A6  
10  
11  
12  
13  
A5  
26 A9  
A4  
25 A11  
24 OE#  
23 A10  
22 CS1#  
21 I/O7  
20 I/O6  
19 I/O5  
18 I/O4  
17 I/O3  
Block Diagram  
A3  
A2 10  
A1 11  
Memory Array  
14  
15  
16  
17 18  
19  
20  
A0 12  
I/O0 13  
I/O1 14  
I/O2 15  
VSS 16  
Address  
Buffer  
Address  
Decoder  
I/O  
Circuits  
A0-16  
I/O0-7  
WE#  
CS1#  
CS2  
OE#  
Microsemi Corporation reserves the right to change products or specifications without notice.  
October 2011 © 2011 Microsemi Corporation. All rights reserved.  
Rev. 13  
1
Microsemi Corporation • (602) 437-1520 • www.microsemi.com  
1234567...10

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EDI88130LPS20NM MICROSEMI Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32

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