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EDI88130LPS25TM

更新时间： 2024-11-03 06:53:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 255K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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EDI88130LPS25TM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DIP包装说明：0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.41最长访问时间：25 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-CDIP-T32
长度：40.64 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP32,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-PRF-38535座面最大高度：3.937 mm
最大待机电流：0.002 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mm

EDI88130LPS25TM 数据手册

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EDI88130CS  
HI-RELIABILITY PRODUCT  
128Kx8 Monolithic SRAM, SMD 5962-89598  
FEATURES  
The EDI88130CS is a high speed, high performance, 128Kx8 bits  
monolithic Static RAM.  
■ Access Times of 15*, 17, 20, 25, 35, 45, 55ns  
■ Battery Back-up Operation  
• 2V Data Retention (EDI88130LPS)  
An additional chip enable line provides system memory security  
during power down in non-battery backed up systems and memory  
banking in high speed battery backed systems where large mul-  
tiple pages of memory are required.  
■ CS1, CS2 & OE Functions for Bus Control  
■ Inputs and Outputs Directly TTL Compatible  
■ Organized as 128Kx8  
The EDI88130CS has eight bi-directional input-output lines to  
provide simultaneous access to all bits in a word.  
■ Commercial, Industrial and Military Temperature Ranges  
■ Thru-hole and Surface Mount Packages JEDEC Pinout  
A low power version, EDI88130LPS, offers a 2V data retention  
function for battery back-up applications.  
• 32 pin Sidebrazed Ceramic DIP, 400 mil (Package 102)  
• 32 pin Sidebrazed Ceramic DIP, 600 mil (Package 9)  
• 32 lead Ceramic SOJ (Package 140)  
Military product is available compliant to MIL-PRF-38535.  
*
15ns access time is advanced information, contact factory for availability.  
• 32 pad Ceramic Quad LCC (Package 12)  
• 32 pad Ceramic LCC (Package 141)  
• 32 lead Ceramic Flatpack (Package 142)  
■ Single +5V (±10%) Supply Operation  
FIG. 1 PIN CONFIGURATION  
32 DIP  
32 SOJ  
32 CLCC  
32 FLATPACK  
PIN DESCRIPTION  
32 QUAD LCC  
TOP VIEW  
I/O0-7  
A0-16  
WE  
Data Inputs/Outputs  
Address Inputs  
Write Enable  
TOP VIEW  
4
3
2
1
32  
31 30  
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2 10  
A1 11  
AØ 12  
I/OØ 13  
I/O1 14  
I/O2 15  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 VCC  
CS1, CS2  
OE  
Chip Selects  
31 A15  
30 CS2  
29 WE  
28 A13  
27 A8  
5
6
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A
7
6
5
4
3
2
1
0
0
WE  
Output Enable  
Power (+5V ±10%)  
Ground  
A
A
A
A
A
13  
VCC  
7
A
8
8
A
9
VSS  
26 A9  
9
A
11  
NC  
Not Connected  
25 A11  
24 OE  
23 A10  
22 CS1  
21 I/O7  
20 I/O6  
19 I/O5  
18 I/O4  
17 I/O3  
10  
11  
12  
13  
A
OE  
10  
CS  
I/O  
A
A
BLOCK DIAGRAM  
A
1
I/O  
7
Memory Array  
14  
15  
16  
17 18  
19  
20  
V
SS 16  
Address  
Buffer  
Address  
Decoder  
I/O  
Circuits  
A
Ø-16  
I/OØ-7  
WE  
CS  
1
CS2  
OE  
1
February 2000 Rev. 9  
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDI88130LPS35CB MICROSEMI

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 		Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
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