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EDF1DS/50 PDF预览

EDF1DS/50

更新时间： 2024-09-19 14:33:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DFS, 4 PIN

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EDF1DS/50 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.64
其他特性：UL RECOGNIZED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EDF1DS/50 数据手册

 浏览型号EDF1DS/50的Datasheet PDF文件第2页 
EDF1AS thru EDF1DS  
Miniature Glass Passivated Ultrafast  
Surface Mount Bridge Rectifiers  
Case Style DFS  
Reverse Voltage 50 to 200V  
Forward Current 1.0A  
0.205 (5.2)  
0.195 (5.0)  
0.047 (1.20)  
0.040 (1.02)  
Mounting Pad Layout  
0.047 MIN.  
(1.20 MIN.)  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
0.404 MAX.  
(10.26 MAX.)  
0.404 (10.3)  
0.386 (9.80)  
0.060 MIN.  
(1.52 MIN.)  
0.335 (8.51)  
0.320 (8.13)  
45o  
0.255 (6.5)  
0.245 (6.2)  
0.013 (0.330)  
0.009 (0.241)  
0.205 (5.2)  
0.195 (5.0)  
0.130 (3.3)  
0.120 (3.05)  
Features  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
0.060 (1.524)  
0.040 (1.016)  
0.013 (0.330)  
0.003 (0.076)  
Mechanical Data  
Case: Molded plastic body over passivated junctions  
Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity: Polarity symbols marked on body  
Mounting Position: Any Weight: 0.014oz., 0.4g  
Packaging codes/options:  
27/1.5K per 13” Reel (16mm Tape)  
45/50 ea. per Tube-Bulk  
• This series is UL listed under Recognized  
Component Index, file number E54214  
• Glass passivated chip junctions  
• High surge overload rating-50 amperes peak  
• Ideal for printed circuit boards  
• Superfast recovery times for high efficiency  
• High temperature soldering guaranteed:  
260°C/10 seconds at 5 lbs. (2.3kg) tension  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics(TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol EDF1AS EDF1BS EDF1CS EDF1DS  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
106  
150  
200  
140  
200  
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
V
Maximum average forward output  
rectified current at TA = 40°C (Note 2)  
IF(AV)  
1.0  
A
Peak forward surge current single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method) TJ = 150°C  
IFSM  
I2t  
50  
10  
A
Rating for fusing (t < 8.3ms)  
A2sec  
°C/W  
°C  
Typical thermal resistance per leg (Note 1)  
RθJA  
RθJL  
38  
12  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
55 to +150  
Electrical Characteristics(TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol EDF1AS EDF1BS EDF1CS EDF1DS  
Unit  
Max. instantaneous forward voltage drop per leg at 1.0A (Note 2)  
VF  
IR  
trr  
1.05  
V
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA = 25°C  
TA = 125°C  
5.0  
1.0  
µA  
mA  
Max. reverse recovery time at IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A  
50  
ns  
Notes: (1) P.C.B. mounted with 0.2 x 0.2” (5.0 x 5.0mm) copper pad areas  
(2) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle  
9/5/00  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDF1DSE3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, MINIATURE, PLASTIC, CASE DFS
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