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EDC4BV7282B-60JG-S PDF预览

EDC4BV7282B-60JG-S

更新时间： 2024-11-11 19:45:07
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 114K
描述
Memory IC, 4MX72, CMOS, PDMA168

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EDC4BV7282B-60JG-S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最长访问时间：60 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDMA-N168内存密度：301989888 bit
内存宽度：72端子数量：168
字数：4194304 words字数代码：4000000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM168封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
最大待机电流：0.028 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：1.018 mA标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

EDC4BV7282B-60JG-S 数据手册

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July 1997  
data sheet  
Revision 1.0  
EDC4BV7282B-60(J/T)G-S  
32MByte (4M x 72) CMOS  
EDO DRAM Module - 3.3V (ECC), Buffered  
General Description  
The EDC4BV7282B-60(J/T)G-S is a high performance, EDO (Extended Data Out) 32-megabyte dynamic RAM module organized  
as 4M words by 72 bits, in a 168-pins, dual-in-line (DIMM) memory module with ECC.  
The module utilizes eighteen, Fujitsu MB81V17805B-60(PJ/FN) CMOS 2Mx8 EDO dynamic RAMs in a surface mount package  
on an epoxy laminate substrate. Each device is accompanied by a decoupling capacitor for improved noise immunity.  
Control lines provided are such that Dword control is possible. All signals are buffered (74ABT16244 or equivalent) except RAS,  
data, and IDs.  
Features  
• High Density: 32MByte  
• Fast Access Time of 60ns (max.)  
• Low Power:  
3.7 W (max.) -Active (60ns)  
165mW (max.) - Standby (LVTTL)  
100mW (max.) - Standby (CMOS)  
• LVTTL-compatible inputs and outputs  
• Separate power and ground planes to improve noise immunity  
• Single power supply of 3.3V±0.3V  
• Height: 1.000 inch  
• 2K Refresh Cycles  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Item  
Symbol  
Ratings  
-0.5 to +4.6  
20  
Unit  
V
Voltage on any pin relative to V  
V
P
SS  
T
Power Dissipation  
W
T
T
Operating Temperature  
Storage Temperate  
0 to +70  
-55 to +125  
-50 to +50  
°C  
°C  
mA  
opr  
T
I
stg  
Short Circuit Output Current  
OS  
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS  
(TA = 0 to +70 °C)  
Symbol  
Parameter  
Supply Voltage  
Min  
3.0  
0
Typ  
Max  
3.6  
0
Unit  
V
V
V
V
3.3  
V
V
V
V
CC  
SS  
IH  
Ground  
0
-
V
+0.3  
Input High voltage  
Input Low voltage  
2.0  
-0.3  
CC  
-
0.8  
IL  
Fujitsu Microelectronics, Inc./Fujitsu Mikroelektronik GmbH  
1
12345678

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与EDC4BV7282B-60JG-S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDC4BV7282B-60TG-S FUJITSU

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 		Memory IC, 4MX72, CMOS, PDMA168
EDC4UV6442-70JG-S FUJITSU

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 		4MX64 EDO DRAM MODULE, 70ns, DMA168, DIMM-168
EDC4UV6442-70TG-S FUJITSU

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 		4MX64 EDO DRAM MODULE, 70ns, DMA168, DIMM-168
EDC4UV6482-60JG-S FUJITSU

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 		EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, PDMA168
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