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ED1802

更新时间: 2024-11-04 22:40:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 46K
描述
PNP general purpose transistor

ED1802 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.625 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):80 MHzBase Number Matches:1

ED1802 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
ED1802  
PNP general purpose transistor  
1999 Apr 27  
Product specification  
Supersedes data of 1997 May 27  

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