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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 333 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ED1802Q | NXP |
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TRANSISTOR 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal |
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| ED1802Q | PHILIPS |
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Transistor |
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| ED18310000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| ED18R126-124MBTEL | EOREX |
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ED382R517-2G4SA-H9R is eorex Registered DDR3 SDRAM DIMMs |
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| ED18R126-124NCTEL | EOREX |
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ED382R517-2G4SA-H9R is eorex Registered DDR3 SDRAM DIMMs |
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| ED18R126-124SARDP | EOREX |
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ED382R517-2G4SA-H9R is eorex Registered DDR3 SDRAM DIMMs |
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| ED18R126-124SATEL | EOREX |
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ED382R517-2G4SA-H9R is eorex Registered DDR3 SDRAM DIMMs |
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| ED18R126-128MBTEL | EOREX |
获取价格 |
ED382R517-2G4SA-H9R is eorex Registered DDR3 SDRAM DIMMs |
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| ED18R126-128NCTEL | EOREX |
获取价格 |
ED382R517-2G4SA-H9R is eorex Registered DDR3 SDRAM DIMMs |
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| ED18R126-128SARDP | EOREX |
获取价格 |
ED382R517-2G4SA-H9R is eorex Registered DDR3 SDRAM DIMMs |
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