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EBS11RC4ACNA-75

更新时间： 2024-01-04 09:57:46

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器时钟
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1 GB Registered SDRAM DIMM

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EBS11RC4ACNA-75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM168
针数：	168	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	9663676416 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	72	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.803 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	5.195 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

EBS11RC4ACNA-75 数据手册

DATA SHEET

1 GB Registered SDRAM DIMM

EBS11RC4ACNA (128M words × 72 bits, 2 banks)

Description

Features

The EBS11RC4ACNA is 128M words × 72 bits,

• Fully compatible with 8 bytes DIMM: JEDEC

standard outline

banks Synchronous Dynamic RAM Registered

Module, mounted 36 pieces of 256M bits SDRAM

sealed in TCP package. This module provides high

density and large quantities of memory in a small

space without utilizing the surface mounting

technology. Decoupling capacitors are mounted on

power supply line for noise reduction.

• 168-pin socket type dual in line memory module

(DIMM)

PCB height: 30.48mm (1.20inch)

Lead pitch: 1.27mm

• 3.3V power supply

• Clock frequency: 133MHz (max.)

• LVTTL interface

Note: Do not push the cover or drop the modules in

order to protect from mechanical defects, which

would be electrical defects.

• Data bus width: × 72 ECC

• Single pulsed /RAS

• 4 Banks can operates simultaneously and

independently

• Burst read/write operation and burst read/single write

operation capability

• Programmable burst length (BL): 1, 2, 4, 8

• 2 variations of burst sequence

Sequential

Interleave

• Programmable /CAS latency (CL): 2, 3

• Registered inputs with one clock delay

• Byte control by DQMB

• Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms

• 2 variations of refresh

Auto refresh

Self refresh

• 1 piece of PLL clock driver, 3 pieces of register driver

and 1 piece of serial EEPROM (2k bits) for Presence

Detect (SPD) on PCB.

Document No. E0106E30 (Ver. 3.0)

Date Published June 2002 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2001-2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EBS11RC4ACNA-7A	ELPIDA	获取价格	1 GB Registered SDRAM DIMM
EBS12UC6APS	ELPIDA	获取价格	128MB SDRAM S.O.DIMM
EBS12UC6APS-75	ELPIDA	获取价格	128MB SDRAM S.O.DIMM
EBS12UC6APS-75L	ELPIDA	获取价格	128MB SDRAM S.O.DIMM
EBS12UC6APS-7A	ELPIDA	获取价格	128MB SDRAM S.O.DIMM
EBS12UC6APS-7AL	ELPIDA	获取价格	128MB SDRAM S.O.DIMM
EBS12UC6APS-80	ELPIDA	获取价格	128MB SDRAM S.O.DIMM
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