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EBS21RC2ACNA-7A

更新时间： 2024-09-24 22:30:35

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器
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15页	149K
描述
2GB Registered SDRAM DIMM

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EBS21RC2ACNA-7A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM168
针数：	168	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	19327352832 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	72
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.911 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	10.775 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EBS21RC2ACNA-7A 数据手册

DATA SHEET

2GB Registered SDRAM DIMM

EBS21RC2ACNA (256M words × 72 bits, 2 banks)

Description

Features

The EBS21RC2ACNA is 256M words × 72 bits, 2

banks Synchronous Dynamic RAM Registered Module,

mounted 72 pieces of 256M bits SDRAM sealed in

TCP package. This module provides high density and

large quantities of memory in a small space without

utilizing the surface mounting technology. Decoupling

capacitors are mounted on power supply line for noise

reduction.

• Fully compatible with 8 bytes DIMM: JEDEC

standard outline

• 168-pin socket type dual in line memory module

(DIMM)

PCB height: 41.91mm (1.65inch )

Lead pitch: 1.27mm

• 3.3V power supply

• Clock frequency: 133MHz (max.)

• LVTTL interface

Note: Do not push the cover or drop the modules in

order to protect from mechanical defects, which

would be electrical defects.

• Data bus width: × 72 ECC

• Single pulsed /RAS

• 4 Banks can operates simultaneously and

independently

• Burst read/write operation and burst read/single write

operation capability

• Programmable burst length (BL): 1, 2, 4, 8

• 2 variations of burst sequence

Sequential

Interleave

• Programmable /CAS latency (CL): 2, 3

• Registered inputs with one clock delay

• Byte control by DQMB

• Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms

• 2 variations of refresh

Auto refresh

Self refresh

• 1 piece of PLL clock driver, 3 pieces of register driver

and 1 piece of serial EEPROM (2k bits) for Presence

Detect (SPD) on PCB.

Document No. E0105E50 (Ver. 5.0)

Date Published June 2002 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2001-2002

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