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EBS25EC8APSA-7A

更新时间： 2024-09-25 22:30:35
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
14页 166K
描述
256MB SDRAM S.O.DIMM

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EBS25EC8APSA-7A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MODULE包装说明：DIMM, DIMM144,32
针数：144Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间：5.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N144
内存密度：2415919104 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：72湿度敏感等级：1
功能数量：1端口数量：1
端子数量：144字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM144,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
最大待机电流：0.027 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：2.25 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EBS25EC8APSA-7A 数据手册

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DATA SHEET  
256MB SDRAM S.O.DIMM  
EBS25EC8APSA (32M words × 72 bits, 1 bank)  
Description  
Features  
The EBS25EC8APSA is 32M words × 72 bits, 1 bank  
Synchronous Dynamic RAM Small Outline Dual In-line  
Memory Module (S.O.DIMM), mounted 9 pieces of  
256M bits SDRAM (EDS2508APTA) sealed in TSOP  
package. This module provides high density and large  
quantities of memory in a small space without utilizing  
• Fully compatible with 8 bytes S.O.DIMM: JEDEC  
standard outline  
• 144-pin socket type small outline dual in line memory  
module (S.O.DIMM)  
PCB height: 38.10mm (1.5inch )  
Lead pitch: 0.80mm  
the surface mounting technology.  
Decoupling  
• 3.3V power supply  
capacitors are mounted on power supply line for noise  
reduction.  
• Clock frequency: 100MHz 133MHz (max.)  
• LVTTL interface  
• Data bus width: × 72 ECC  
• Single pulsed /RAS  
• 4 Banks can operates simultaneously and  
independently  
• Burst read/write operation and burst read/single write  
operation capability  
• Programmable burst length (BL): 1, 2, 4, 8, Full page  
• 2 variations of burst sequence  
Sequential  
Interleave  
• Programmable /CAS latency (CL): 2, 3  
• Byte control by DQMB  
• Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms  
• 2 variations of refresh  
Auto refresh  
Self refresh  
Document No. E0227E20 (Ver. 2.0)  
Date Published November 2001 (K) Japan  
URL: http://www.elpida.com  
C
Elpida Memory, Inc. 2001  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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