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EBS26UC6APS-80

更新时间： 2024-02-28 17:13:40

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器时钟
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14页	146K
描述
256MB SDRAM S.O.DIMM

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EBS26UC6APS-80 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	DIMM, DIMM144,32
针数：	144	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.91	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.024 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.97 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

EBS26UC6APS-80 数据手册

DATA SHEET

256MB SDRAM S.O.DIMM

EBS26UC6APS (32M words × 64 bits, 2 bank)

Description

Features

The EBS26UC6APS is 32M words × 64 bits, 2 banks

Synchronous Dynamic RAM Small Outline Dual In-line

Memory Module (S.O.DIMM), mounted 8 pieces of

256M bits SDRAM (EDS2516APTA) sealed in TSOP

package. This module provides high density and large

quantities of memory in a small space without utilizing

• Fully compatible with 8 bytes S.O.DIMM: JEDEC

standard outline

• 144-pin socket type small outline dual in line memory

module (S.O.DIMM)

PCB height: 31.75mm (1.25inch )

Lead pitch: 0.80mm

the surface mounting technology.

Decoupling

• 3.3V power supply

capacitors are mounted on power supply line for noise

reduction.

• Clock frequency: 100MHz/133MHz (max.)

• LVTTL interface

• Data bus width: × 64 non-ECC

• Single pulsed /RAS

• 4 Banks can operates simultaneously and

independently

• Burst read/write operation and burst read/single write

operation capability

• Programmable burst length (BL): 1, 2, 4, 8, Full page

• 2 variations of burst sequence

Sequential

Interleave

• Programmable /CAS latency (CL): 2, 3

• Byte control by DQMB

• Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms

• 2 variations of refresh

Auto refresh

Self refresh

Document No. E0225E20 (Ver. 2.0)

Date Published December 2001 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2001

12 3 4 5 6 7...14

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EBS26UC6APS-80L	ELPIDA	获取价格	256MB SDRAM S.O.DIMM
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EBS51RC4ACFC-75	ELPIDA	获取价格	512MB Registered SDRAM DIMM
EBS51RC4ACFC-7A	ELPIDA	获取价格	512MB Registered SDRAM DIMM
EBS52EC8APFA	ELPIDA	获取价格	512MB Unbuffered SDRAM DIMM
EBS52EC8APFA-75	ELPIDA	获取价格	512MB Unbuffered SDRAM DIMM
EBS52EC8APFA-7A	ELPIDA	获取价格	512MB Unbuffered SDRAM DIMM
EBS52EC8APFZ-7A	ELPIDA	获取价格	DRAM,
EBS52UC8APFA	ELPIDA	获取价格	512MB Unbuffered SDRAM DIMM
EBS52UC8APFA-75	ELPIDA	获取价格	512MB Unbuffered SDRAM DIMM

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