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EBS25UC8APMA-80

更新时间： 2024-01-19 18:02:10

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器时钟
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256MB SDRAM Micro DIMM

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EBS25UC8APMA-80 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM144,20
针数：	144	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N144
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.024 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.7 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

EBS25UC8APMA-80 数据手册

DATA SHEET

256MB SDRAM Micro DIMM

EBS25UC8APMA (32M words × 64 bits, 1 bank)

Description

Features

The EBS25UC8APMA is 32M words × 64 bits, 1 bank

Synchronous Dynamic RAM Micro Dual In-line Memory

Module (Micro DIMM), mounted 8 pieces of 256M bits

SDRAM sealed in µBGA package. This module

provides high density and large quantities of memory in

a small space without utilizing the surface mounting

technology. Decoupling capacitors are mounted on

power supply line for noise reduction.

• Fully compatible with 8 bytes Micro DIMM: JEDEC

standard outline

• 144-pin socket type micro dual in line memory

module (Micro DIMM)

PCB height: 30.00mm (1.18inch )

Lead pitch: 0.50mm

• 3.3V power supply

• Clock frequency: 100MHz/133MHz (max.)

• LVTTL interface

Note : Do not push the cover or drop the modules in

order to protect from mechanical defects, which

would be electrical defects.

• Data bus width: × 64 non-ECC

• Single pulsed /RAS

• 4 Banks can operates simultaneously and

independently

• Burst read/write operation and burst read/single write

operation capability

• Programmable burst length (BL): 1, 2, 4, 8, Full page

• 2 variations of burst sequence

Sequential

Interleave

• Programmable /CAS latency (CL): 2, 3

• Byte control by DQMB

• Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms

• 2 variations of refresh

Auto refresh

Self refresh

Document No. E0241E30 (Ver. 3.0)

Date Published May 2002 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...14

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