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EBJ51UD8CAFA-DG-E

更新时间： 2024-01-14 17:18:28
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 181K
描述
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

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EBJ51UD8CAFA-DG-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM240,40
针数：240Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.255 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：667 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N240JESD-609代码：e4
内存密度：4294967296 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：240
字数：67108864 words字数代码：64000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：组织：64MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM240,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES最大待机电流：0.096 A
子类别：DRAMs最大压摆率：2.92 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.575 V最小供电电压 (Vsup)：1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：1.5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：NO LEAD端子节距：1 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EBJ51UD8CAFA-DG-E 数据手册

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EBJ51UD8CAFA, EBJ51UD8BAFA  
Hex  
Byte No. Function described  
SDRAM minimum row active to row active  
delay (tRRD)  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 value Comments  
19  
0
0
1
1
0
0
0
0
30H  
6ns  
-DG, -DJ  
-AC, -AE  
0
0
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
3CH 7.5ns  
-8A, -8C  
50H  
60H  
10ns  
12ns  
SDRAM minimum row precharge time  
(tRP)  
-DG  
20  
0
1
1
0
0
0
0
0
-DJ  
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
1
0
1
1
1
0
0
1
0
0
1
1
1
1
1
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
6CH 13.5ns  
5AH 11.25ns  
-AC  
-AE  
69H  
64H  
78H  
11H  
13.125ns  
12.5ns  
15ns  
-8A  
-8C  
21  
22  
SDRAM upper nibbles for tRAS and tRC  
SDRAM minimum active to precharge time  
(tRAS), LSB  
-DG, -DJ  
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
20H  
36ns  
-AC, -AE, -8A, -8C  
2CH 37.5ns  
80H 48ns  
8CH 49.5ns  
SDRAM minimum active to active /auto-  
refresh time (tRC), LSB  
-DG  
23  
-DJ  
-AC  
-AE  
-8A  
-8C  
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
86H  
95H  
90H  
48.75ns  
50.625ns  
50ns  
A4H 52.5ns  
D0H 90ns  
SDRAM minimum refresh recovery time  
delay (tRFC), LSB  
24  
25  
26  
27  
28  
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
SDRAM minimum refresh recovery time  
delay (tRFC), MSB  
0
02H  
90ns  
SDRAM minimum internal write to read  
command delay (tWTR)  
1
1
3CH 7.5ns  
3CH 7.5ns  
SDRAM minimum internal read to  
precharge command delay (tRTP)  
Upper nibble for tFAW  
-DG, -DJ  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
00H  
01H  
-AC, -AE, -8A, -8C  
0
1
Minimum four activate window delay time  
(tFAW)  
29  
1
1
1
0
0
0
0
F0H  
30ns  
-DG, -DJ  
-AC, -AE  
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
1
2Ch  
40H  
03H  
37.5ns  
40ns  
-8A, -8C  
30  
31  
SDRAM output drivers supported  
RZQ/6, 7  
ASR / 2X refresh,  
ODTS  
SDRAM refresh options  
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0CH  
32 to 59 Reserved  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
00H  
0FH  
01H  
00H  
—
60  
61  
62  
Module nominal height  
0
29 < height ≤ 30mm  
Module maximum thickness  
Reference raw card used  
0
0
Raw Card A  
Preliminary Data Sheet E1005E20 (Ver. 2.0)  
7
1...45678910...19

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与EBJ51UD8CAFA-DG-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBJ51UD8CAFA-DJ-E ELPIDA DDR DRAM Module, 64MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

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EBJ51UE6BASA-8A-E ELPIDA DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN

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EBJ51UE6BASA-AC-E ELPIDA DDR DRAM Module, 64MX64, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN

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EBJ51UE6BASA-AG-E ELPIDA DDR DRAM Module, 64MX64, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN

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