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EBJ51UE6BASA-AE-E

更新时间： 2024-02-28 13:31:42

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尔必达 - ELPIDA		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	216K
描述
DDR DRAM Module, 64MX64, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN

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EBJ51UE6BASA-AE-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DMA	包装说明：	DIMM, DIMM204,24
针数：	204	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.3 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	533 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N204
内存密度：	4294967296 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	204
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	64MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM204,24
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.052 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.32 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.6 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EBJ51UE6BASA-AE-E 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET

512MB DDR3 SDRAM SO-DIMM

EBJ51UE6BASA (64M words × 64 bits, 1 Rank)

Specifications

Features

• Density: 512MB

• Organization

⎯ 64M words × 64 bits, 1 rank

• Mounting 4 pieces of 1G bits DDR3 SDRAM sealed

in FBGA

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• Package: 204-pin socket type small outline dual in

line memory module (SO-DIMM)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

⎯ PCB height: 30.0mm

⎯ Lead pitch: 0.6mm

⎯ Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD = 1.5V 0.075V

• Data rate: 1333Mbps/1066Mbps/800Mbps (max.)

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• Data mask (DM) for write data

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Interface: SSTL_15

• Burst lengths (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• /CAS Latency (CL): 5, 6, 7, 8, 9

• /CAS write latency (CWL): 5, 6, 7

• On-Die-Termination (ODT) for better signal quality

⎯ Synchronous ODT

⎯ Dynamic ODT

⎯ Asynchronous ODT

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

• Multi Purpose Register (MPR) for temperature read

out

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)

• /RESET pin for Power-up sequence and reset

function

⎯ Average refresh period

7.8μs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9μs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

⎯ TC = 0°C to +95°C

• SRT range:

⎯ Normal/extended

⎯ Auto/manual self-refresh

• Programmable Output driver impedance control

Document No. E1223E10 (Ver. 1.0)

Date Published December 2007 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EBJ51UE6BASA-AG-E	ELPIDA	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN	获取价格
EBJ51UE6BASA-DG-E	ELPIDA	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN	获取价格
EBJ51UE6BASA-DJ-E	ELPIDA	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN	获取价格
EBJ51UE6BAU0-8A-E	ELPIDA	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN	获取价格
EBJ51UE6BAU0-8C-E	ELPIDA	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN	获取价格
EBJ51UE6BAU0-AC-E	ELPIDA	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN	获取价格

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