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EBE21UE8ACWA-8G-E

更新时间: 2024-02-18 17:21:36
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
29页 237K
描述
2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

EBE21UE8ACWA-8G-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM240,40
针数:240Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N240内存密度:17179869184 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:240字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:256MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM240,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.16 A子类别:DRAMs
最大压摆率:3.04 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EBE21UE8ACWA-8G-E 数据手册

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EBE21UE8ACWA  
Logical Clock Net Structure  
6DRAM loads (CK1 and /CK1, CK2 and /CK2)  
DRAM  
R = 200Ω  
DRAM  
DRAM  
DIMM  
R = 200Ω  
connector  
DRAM  
DRAM  
DRAM  
R = 200Ω  
4DRAM loads (CK0 and /CK0)  
R = 200Ω  
DRAM  
DRAM  
C2  
DIMM  
connector  
R = 200Ω  
DRAM  
DRAM  
R = 200Ω  
*C2: 2pF  
Data Sheet E1213E10 (Ver. 1.0)  
9

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