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EBE21UE8ACWA-6E-E

更新时间: 2024-02-27 23:45:11
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
29页 237K
描述
2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

EBE21UE8ACWA-6E-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM240,40
针数:240Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.45 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N240内存密度:17179869184 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:240字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:256MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM240,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.16 A子类别:DRAMs
最大压摆率:2.84 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EBE21UE8ACWA-6E-E 数据手册

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EBE21UE8ACWA  
Block Diagram  
/CS1  
/CS0  
R
R
S1  
S1  
S1  
S1  
/DQS0  
DQS0  
DM0  
/DQS4  
DQS4  
DM4  
R
S1  
S1  
R
R
R
DM /CS DQS /DQS  
DM /CS DQS /DQS  
DM /CS DQS /DQS  
DM /CS DQS /DQS  
8
R
S1  
8
R
S1  
D0  
D9  
D4  
D13  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0 to DQ7  
/DQS1  
DQ32 to DQ39  
R
S1  
R
R
S1  
/DQS5  
DQS5  
DM5  
R
R
S1  
S1  
DQS1  
DM1  
S1  
R
S1  
DM /CS DQS /DQS  
DM /CS DQS /DQS  
DQ0  
DM /CS DQS /DQS  
DQ0  
DM /CS DQS /DQS  
DQ0  
R
S1  
R
S1  
8
8
DQ0  
D1  
DQ8 to DQ15  
/DQS2  
DQ40 to DQ47  
/DQS6  
D10  
D5  
D14  
to DQ7  
to DQ7  
to DQ7  
to DQ7  
R
S1  
R
S1  
R
S1  
R
R
S1  
R
S1  
S1  
DQS2  
DM2  
DQS6  
DM6  
DM /CS DQS /DQS  
/DQS  
/DQS  
/DQS  
DM /CS DQS  
DM /CS DQS  
DM /CS DQS  
8
R
S1  
8
R
S1  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
D11  
D6  
D15  
D2  
DQ48 to DQ55  
/DQS7  
DQ16 to DQ23  
/DQS3  
R
S1  
R
S1  
R
S1  
R
S1  
R
R
S1  
DQS3  
DM3  
DQS7  
DM7  
S1  
DM /CS DQS /DQS  
/DQS  
/DQS  
/DQS  
DM /CS DQS  
DM /CS DQS  
DM /CS DQS  
R
S1  
8
R
S1  
8
D3  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
D12  
D7  
D16  
DQ56 to DQ63  
DQ24 to DQ31  
R
S2  
BA0 to BA2  
A0 to A13  
BA0 to BA2: SDRAMs (D0 to D7, D9 to D16)  
A0 to A13: SDRAMs (D0 to D7, D9 to D16)  
Serial PD  
SDA  
R
S2  
R
S2  
R
S2  
R
S2  
SCL  
SA0  
SA1  
SA2  
SCL  
A0  
SDA  
/RAS  
/CAS  
/WE  
/RAS: SDRAMs (D0 to D7, D9 to D16)  
/CAS: SDRAMs (D0 to D7, D9 to D16))  
/WE: SDRAMs (D0 to D7, D9 to D16)  
U0  
A1  
A2  
WP  
CKE0  
CKE1  
ODT0  
ODT1  
CKE: SDRAMs (D0 to D7)  
CKE: SDRAMs (D9 to D16)  
ODT:SDRAMs (D0 to D7)  
ODT:SDRAMs (D9 to D16)  
Notes :  
1. DQ wiring may be changed within a byte.  
VDDSPD  
VREF  
SPD  
2. DQ, DQS, /DQS, ODT, DM, CKE, /CS relationships  
must be meintained as shown.  
SDRAMs (D0 to D7, D9 to D16)  
SDRAMs (D0 to D7, D9 to D16)  
3. Refer to the appropriate clock wiring topology  
under the DIMM wiring details section of this document.  
VDD  
VSS  
SDRAMs (D0 to D7, D9 to D16)  
* D0 to D15 : 1G bits DDR2 SDRAM  
U0 : 2k bits EEPROM  
Rs1 : 22  
Rs2 : 7.5  
Data Sheet E1213E10 (Ver. 1.0)  
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