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E3V3SBWT1AL

更新时间： 2023-12-06 20:02:14

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	230K
描述
静电保护二极管

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E3V3SBWT1AL 数据手册

E3V3SBWT1AL

ESD Protection Diode

PINNING

Features

• Low clamping voltage

DESCRIPTION

Anode

Applications

• Cellular Handsets & Accessories

• Notebooks & Handhelds

• Portable Instrumentation

• Digital Cameras

Top View

Simplified outline SOD-523 and symbol

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Symbol

Value

Unit

P_PK

I_PP

6.5

Air

Contact

± 30

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

3.3

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

V_RWM

V_PT

V_SB

I_R

Punch Through Voltage

at I_SB= 2 µA

3.5

2.8

Snap-Back Voltage

at I_SB= 50 mA

Reverse Current

at V_RWM= 3.3V

0.5

µA

Clamping Voltage

V_C

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 6.5 A, tp = 8/20 µs

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

6.6

10.3

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

R_dyn

0.31

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 4

Dated : 19/05/2021 Rev : 01

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