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E3V3UBWB1A

更新时间： 2024-04-09 18:40:56

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先科 - SWST		二极管
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3页	216K
描述
静电保护二极管

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E3V3UBWB1A 数据手册

E3V3UBWB1A

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

• Low leakage current

• Ultra low capacitance

• Low clamping voltage

Anode

Applications

Top View

• Smart Phones

• Wireless Systems

Simplified outline SOD-323(Bend Lead) and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

100

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

I_PP

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

IEC61000-4-2 (ESD)

Air

Contact

± 20

± 15

V_ESD

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

Operation Temperature Range

Storage Temperature Range

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Min.

Typ.

Max.

3.3

Symbol

V_RWM

V_(BR)R

Unit

Reverse Working Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

6.2

0.2

Reverse Current

at V_R=3.3 V

I_R

µA

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A , tp = 8/20 µs

at I_PP= 4 A , tp = 8/20 µs

11.5

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.3

1.8

R_dyn

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 25/04/2022 Rev : 01

12 3

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