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DZ950N42

更新时间： 2024-09-17 21:17:35

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英飞凌 - INFINEON		局域网二极管
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 950A, 4200V V(RRM), Silicon,

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DZ950N42 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-XUFM-X2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X2	最大非重复峰值正向电流：	29000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	950 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	4200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

DZ950N42 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DZ950N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kenndaten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

_PerE_iodil_se_chek_St_pr_itzi_es_nsc_peh_rrse_panE_nuni_ggenschaften _{T = -40°C... T}

3600

3700

4000 V

4400 V

V_RRM

vj max

repetitive peak reverse voltages

Thermische Eigenschaften

4100 V

4500 V

Stoßspitzensperrspannung

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

non-repetitive peak reverse voltage

1500 A

950 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100 °C

35.000 A

29.000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

6.125.000 A²s

4.205.000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

1,78 V

max.

T_vj= T_{vj max}, i_F= 3000 A

T_vj= T_{vj max}

v_F

on-state voltage

0,85 V

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

0,28 mΩ

100 mA

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V_ISOL

3,6

3,0

insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R_thJC

pro Modul / per Module, DC

0,042 °C/W

max. 0,0405 °C/W

pro Modul / per Module

pro Zweig / per arm

max.

0,01 °C/W

160

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

- 40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

C. Drilling

date of publication: 06.05.03

revision:

prepared by:

approved by: M. Leifeld

BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther

A22/00

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