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DWEP9-12

更新时间： 2024-09-11 22:14:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		整流二极管
页数	文件大小	规格书
22页	765K
描述
Rectifier Diodes & FRED

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DWEP9-12 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIE
包装说明：	DIE-1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.61
应用：	FAST RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-XUUC-N1	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最大输出电流：	12 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

DWEP9-12 数据手册

Page

Contents

Symbols and Definitions

Nomenclature

General Information

Assembly Instructions

FRED, Rectifier Diode and Thyristor Chips in Planar Design

IGBT Chips

V_CES

I_C

G-Series, Low V_CE(sat)B2 Types

G-Series, Fast C2 Types

S-Series, SCSOA Capability, Fast Types

E-Series, Improved NPT³ technology

600 ...1200 V

7 ... 20 A

10 ... 20 A

20 ... 150 A

600 V

1200 ... 1700 V

MOSFET Chips

V_DSS

R_DS(on)

HiPerFET^TMPower MOSFET

70 ...1200 V

55 ... 300 V

-100 ...-600 V

500 ...1000 V

0.005 ... 4.5 Ω

0.015 ... 0.135 Ω

0.06 ... 1.2 Ω

8-10

PolarHT^TMMOSFET, very Low R_DS(on)

P-Channel Power MOSFET

N-Channel Depletion Mode MOSFET

30 ... 110 Ω

Layouts

13-17

Bipolar Chips

V_RRM/ V_DRM

I_F(AV)M/ I_T(AV)M

Rectifier Diodes

FREDs

1200 ... 1800 V

600 ... 1200 V

200 ... 1200 V

600 ... 1800 V

100 ... 600 V

8 ... 200 V

12 ... 416 A

8 ... 244 A

9 ... 148 A

12 ... 150 A

3.5 ... 25 A

28 ... 145 A

15 ... 540 A

10 ... 26 A

18-19

20-21

22-23

24-25

26-27

28-31

32-33

Low Leakage FREDs

SONIC-FRD^TMDiodes

GaAs Schottky Diodes

Schottky Diodes

Phase Control Thyristors

Fast Rectifier Diodes

800 ... 2200 V

1600 ... 1800 V

Direct Copper Bonded (DCB), Direct Alu Bonded (DAB) Ceramic Substrates

What is DCB/DAB?

DCB Specification

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

12 3 4 5 6 7...22

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