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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTD113ZL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
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| DTD113ZL-AE3-6-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD113ZL-AE3-G-R | UTC |
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Transistor |
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| DTD113ZL-AE3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD113ZL-AL3-6-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD113ZL-AL3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD113ZL-AN3-6-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FR |
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| DTD113ZL-AN3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD113ZLG-AE3-6-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN |
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| DTD113ZLG-AE3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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