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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.61 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTD113ZL-AL3-6-R | UTC |
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NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD113ZL-AL3-R | UTC |
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NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD113ZL-AN3-6-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FR |
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| DTD113ZL-AN3-R | UTC |
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NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD113ZLG-AE3-6-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN |
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| DTD113ZLG-AE3-R | UTC |
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NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD113ZLG-AL3-6-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN |
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| DTD113ZLG-AL3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD113ZLG-AN3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
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| DTD113ZLG-T92-6-K | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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