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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTC115EUAT106
DTC115EUAT106 PDF预览

DTC115EUAT106

更新时间： 2024-02-23 18:45:49
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 540K
描述
DTC115E series

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DTC115EUAT106 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：7.11
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：471743Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：UMT3_1Samacsys Released Date：2017-12-24 10:53:57
Is Samacsys：N其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：82
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

DTC115EUAT106 数据手册

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DTC115E series  
Datasheet  
NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)  
lOutline  
VMT3  
EMT3F  
Parameter  
VCC  
Value  
50V  
OUT  
OUT  
IN  
GND  
IN  
IC(MAX.)  
R1  
100mA  
100kW  
100kW  
GND  
DTC115EM  
(SC-105AA)  
DTC115EEB  
(SC-89)  
R2  
EMT3  
UMT3  
OUT  
OUT  
lFeatures  
1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100kW.  
IN  
IN  
GND  
GND  
2) Built-in bias resistors enable the configuration of  
an inverter circuit without connecting external  
input resistors (see inner circuit).  
DTC115EE  
SOT-416 (SC-75A)  
DTC115EUA  
SOT-323 (SC-70)  
SMT3  
3) The bias resistors consist of thin-film resistors  
with complete isolation to allow negative biasing  
of the input. They also have the advantage of  
completely eliminating parasitic effects.  
OUT  
IN  
GND  
4) Only the on/off conditions need to be set for  
operation, making the circuit design easy.  
5) Complementary PNP Types :DTA115E series  
6) Lead Free/RoHS Compliant.  
DTC115EKA  
SOT-346 (SC-59)  
lInner circuit  
lApplication  
Switching circuit, Inverter circuit, Interface circuit,  
Driver circuit  
lPackaging specifications  
Package  
size  
(mm)  
Basic  
ordering  
unit (pcs)  
Taping  
code  
Reel size Tape width  
Part No.  
Package  
Marking  
(mm)  
(mm)  
DTC115EM  
VMT3  
EMT3F  
EMT3  
UMT3  
SMT3  
1212  
1616  
1616  
2021  
2928  
T2L  
TL  
180  
180  
180  
180  
180  
8
8
8
8
8
8,000  
3,000  
3,000  
3,000  
3,000  
29  
29  
29  
29  
29  
DTC115EEB  
DTC115EE  
TL  
DTC115EUA  
DTC115EKA  
T106  
T146  
www.rohm.com  
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2012.04 - Rev.A  
1/9  
1234567...10

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DTC115EUAT106 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PDTC115EU,115 NXP

功能相似

 PDTC115E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm SC-70 3-
DTC114EUA-TP MCC

功能相似

 NPN Digital Transistors
DDTC115EUA-7 DIODES

功能相似

 NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与DTC115EUAT106相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC115EUAT107 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
DTC115EUB ROHM

获取价格

 		DTC115EUB是标准的数字晶体管(电阻内置型晶体管)产品。
DTC115EUBT106 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
DTC115EUBTL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
DTC115EUS3 ETC

获取价格

 		Mini size of Discrete semiconductor elements
DTC115EV ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTC115EVA ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SIP
DTC115EVATV2 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3
DTC115EVATV3 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3
DTC115EVATV6 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3

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