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DTC115EUB

更新时间： 2023-06-19 15:17:36
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 小信号双极晶体管数字晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 181K
描述
DTC115EUB是标准的数字晶体管(电阻内置型晶体管)产品。

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DTC115EUB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.61
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1
最大集电极电流 (IC)：0.02 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：27
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTC115EUB 数据手册

 浏览型号DTC115EUB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTC115EUB的Datasheet PDF文件第3页 
100mA / 50V Digital transistors  
(with built-in resistors)  
DTC115EEB  
zApplications  
z Dimensions (Unit : mm)  
EMT3F  
Inverter, Interface, Driver  
zFeatures  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of  
an inverter circuit without connecting external  
input resistors (see equivalent circuit).  
2) Each bias resistor is a thin-film resistor.  
Since they are completely insulated,  
(3)  
(1)  
(2)  
the input can be negatively biased. The insulation also  
eliminates most of the parasitic effects.  
3) Only the on / off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
Abbreviated symbol : 29  
(1) IN  
(2) GND  
(3) OUT  
Each lead has same dimensions  
zStructure  
NPN silicon epitaxial planar digital transistor  
zPackaging specifications  
zInner circuit  
Package  
Taping  
TR  
OUT  
(3)  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
DTC115EEB  
R2  
R1  
(1)  
(2)  
GND  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
IN  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
IN  
OUT  
Supply voltage  
V
CC  
50  
GND  
V
Input voltage  
V
IN  
−10 to 40  
100  
∗1  
∗2  
R1=100kΩ, R2=100kΩ  
I
C(Max.)  
mA  
mA  
mW  
°C  
Collector current  
Output Current  
I
O
20  
Power dissipation  
Junction temperature  
P
D
150  
Tj  
Tstg  
150  
Range of storage temperature  
−55 to +150  
°C  
∗1 Characteristics of built-in transistor  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
www.rohm.com  
2009.07 - Rev.B  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC115EUBT106 ROHM

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DTC115EUBTL ROHM

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DTC115EUS3 ETC

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 		Mini size of Discrete semiconductor elements
DTC115EV ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
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DTC115EVATV2 ROHM

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