5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.61 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTC115ELATL4 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTL, 3 |
|
| DTC115EM | WEITRON |
获取价格 |
Bias Resistor Transistor NPN Silicon |
|
| DTC115EM | ROHM |
获取价格 |
Digital transistors (built-in resistors) |
|
| DTC115EM | CJ |
获取价格 |
SOT-723 |
|
| DTC115EM | MCC |
获取价格 |
Tape&Reel: 8Kpcs/Reel; |
|
| DTC115EM | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
50V,100mA,NPN Bipolar Digital Transistor |
|
| DTC115EM_09 | ROHM |
获取价格 |
100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) |
|
| DTC115EM3 | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) R1 = 100 k, R2 = 100 k |
|
| DTC115EM3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resis |
|
| DTC115EMFHAT2L | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
