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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.57 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.07 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 68 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTC114YVATV6 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3 |
|
| DTC114YXV3T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resis |
|
| DTC115E | ROHM |
获取价格 |
DIGITAL TRANSISTOR |
|
| DTC115E | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS) |
|
| DTC115E_11 | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
| DTC115E_12 | ROHM |
获取价格 |
NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
|
| DTC115E_15 | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
| DTC115EA | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon |
|
| DTC115EAA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SIP |
|
| DTC115E-AE3-6-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS) |
|
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