DTB114ES

更新时间： 2024-11-13 22:29:55

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	63K
描述
Digital transistors (built-in resistors)

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DTB114ES 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	56	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

Transistors

Digital transistors (built-in resistors)

DTB114EK / DTB114ES

FFeatures

FExternal dimensions (Units: mm)

1) Built-in bias resistors enable the

configuration of an inverter circuit

without connecting external input

resistors (see equivalent circuit).

2) The bias resistors consist of thin-

film resistors with complete isola-

tion to allow positive biasing of the

input. They also have the advan-

tage of almost completely eliminat-

ing parasitic effects.

3) Only the on/off conditions need to

be set for operation, making device

design easy.

FStructure

PNP digital transistor

(Built-in resistor type)

FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

FEquivalent circuit

(96-290-B114E)

376

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DTB114ES3	ETC	获取价格	Mini size of Discrete semiconductor elements
DTB114ESTP	ROHM	获取价格	暂无描述
DTB114EUS3	ETC	获取价格	Mini size of Discrete semiconductor elements
DTB114EV	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP
DTB114EVTV2	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3
DTB114EVTV3	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3
DTB114GA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP
DTB114GAAC2	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
DTB114GAC2	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATR, 3
DTB114GC	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL