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DTB114GV

更新时间: 2024-11-14 20:28:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 1299K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon

DTB114GV 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A最小直流电流增益 (hFE):56
元件数量:1极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:NO晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

DTB114GV 数据手册

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