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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTB114GLTL3 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3 |
|
| DTB114GLTL4 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3 |
|
| DTB114GS | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR |
|
| DTB114GSA | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| DTB114GSATP | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| DTB114GSTP | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SPT, SC |
|
| DTB114GV | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon |
|
| DTB114GVATV3 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| DTB114T | ROHM |
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DIGITAL TRANSISTOR |
|
| DTB114TA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
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